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      與傳統的硅器件相比，SiC器件可以承受更高的擊穿電壓，有更低的電阻率，工作溫度更高。愛仕特專注于第三代半導體SiC MOS芯片設計、功率模塊的生產制造。已量產20余款650V~3300V全系列SiC MOS產品，并建立起車規級的SiC MOS模塊工廠。愛仕特是國內首家量產六英寸SiC MOS的廠家，晶圓流片良率高達91%。其SiC MOS芯片最高耐壓3300V，單芯片最大電流可達120A，最低內阻15毫歐，高雪崩耐量，100% UIS測試，并按照AEC-Q101標準測試，滿足車規級要求。SiC MOS模塊的結溫高達175℃，正溫度系數 ，采用氮化鋁絕緣基板，有較高的導熱性和絕緣性，集成負溫度系數傳感器，絕緣電壓達2.5KV，其中的第三代模塊寄生電感低于10nH，比現有模塊小50%以上，降低開關損耗。

10月12日，愛仕特與世強硬創平臺達成合作，授權世強全線代理旗下SiC MOS芯片和SiC MOS模塊，相關產品、技術資料已上線世強硬創平臺。