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          愛仕特成為國內首家量產六英寸SiC MOS廠家

                                                                                                                                                                                            世強硬創官網

                與傳統的硅器件相比,SiC器件可以承受更高的擊穿電壓,有更低的電阻率,工作溫度更高。愛仕特專注于第三代半導體SiC MOS芯片設計、功率模塊的生產制造。已量產20余款650V~3300V全系列SiC MOS產品,并建立起車規級的SiC MOS模塊工廠。愛仕特是國內首家量產六英寸SiC MOS的廠家,晶圓流片良率高達91%。其SiC MOS芯片最高耐壓3300V,單芯片最大電流可達120A,最低內阻15毫歐,高雪崩耐量,100% UIS測試,并按照AEC-Q101標準測試,滿足車規級要求。SiC MOS模塊的結溫高達175℃,正溫度系數 ,采用氮化鋁絕緣基板,有較高的導熱性和絕緣性,集成負溫度系數傳感器,絕緣電壓達2.5KV,其中的第三代模塊寄生電感低于10nH,比現有模塊小50%以上,降低開關損耗。

          10月12日,愛仕特與世強硬創平臺達成合作,授權世強全線代理旗下SiC MOS芯片和SiC MOS模塊,相關產品、技術資料已上線世強硬創平臺。       

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