我司自確定1200V SiC MOSFET項目立項后，芯片研發部多位工程師歷經數月的辛苦研究，針對芯片布局，結構，工藝進行完整全方面的軟件模擬仿真，在團隊以前設計經驗的基礎上加以改進，得到最優化的參數，與臺灣代工廠多輪反復討論及制定加工工藝條件，產線在線的調試工作，最終一輪流片試驗成功，得到1200V工藝平臺各項設計指標，與仿真數據相差不到5%，此輪流片得到1200V40毫歐的SiC MOSFET芯片，加工良率得到大幅度提升，平均良率達到80%水平。