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          我司1200V碳化硅功率MOSFET研制開發成功

                   我司自確定1200V SiC MOSFET項目立項后,芯片研發部多位工程師歷經數月的辛苦研究,針對芯片布局,結構,工藝進行完整全方面的軟件模擬仿真,在團隊以前設計經驗的基礎上加以改進,得到最優化的參數,與臺灣代工廠多輪反復討論及制定加工工藝條件,產線在線的調試工作,最終一輪流片試驗成功,得到1200V工藝平臺各項設計指標,與仿真數據相差不到5%,此輪流片得到1200V40毫歐的SiC MOSFET芯片,加工良率得到大幅度提升,平均良率達到80%水平。

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